长江网4月13日讯（通讯员华健）4月13日，长江存储最新128层QLC 3D NAND闪存，宣布在武汉光谷研发成功，这是全球首款128层QLC闪存。目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。

3DNAND即三维闪存技术。过去，人们用到的存储芯片是平面的，相当于地面停车场，而三维闪存芯片是立体的，就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下，立体芯片能够容纳更多倍数据量。此次先于业界发布的128层闪存芯片“X2-6070”，拥有业界最高的存储密度、传输速度和单颗闪存芯片容量，拥有128层三维堆栈，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。

如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片，相当于提供3665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。

2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。2019年9月，首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。”

据业界分析，QLC芯片更适合作为大容量存储介质，更适用于AI计算，机器学习，实时分析和大数据中的读取密集型应用。