正在中国光谷举行的2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会上，九峰山实验室展出了刚刚下线的全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆。该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，可以制造目前全球综合性能最优的光电集成芯片。这也是该项成果首次公开亮相。

薄膜铌酸锂因其出色的性能在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域均发挥着重要作用。九峰山实验室工艺中心总经理柳俊介绍，由于铌酸锂材料本身的脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆的制备工艺一直是业界的难题。目前，全球对薄膜铌酸锂的研发主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆上，九峰山实验室工艺中心成功研发出首款8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，打破了这一技术瓶颈，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成。“此项成果由九峰山实验室联合重要产业合作伙伴开发，在工艺和技术上达到了全球领先，将尽快实现产业商用。”

近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。单晶薄膜铌酸锂则为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了至今为止综合性能最优的解决方案。

随着调制速率要求的提高，薄膜铌酸锂的优势将更加明显，给未来的通信技术带来巨大的潜力。据相关市场研究机构调查报告，预计2025年后，薄膜铌酸锂将逐渐商业化。

长江日报记者现场看到，除8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆外，九峰山实验室还展出了6寸碳化硅新型沟槽MOSFET晶圆等一系列突破性产品。柳俊介绍：“作为湖北十大实验室之一，九峰山实验室拥有业界领先的化合物半导体基础设施，从化合物半导体产品设计、外延生长、流片到测试，提供全链条的一站式服务。”